1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Innovation Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمیته استانداردسازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

کاربردهای فناوری نانو در سلول‌های خورشیدی

افراد مقاله : ‌ نویسنده اول - امیرمحمود بخشایش , نویسنده دوم - مهدی راجی پور

موضوع : آموزش و ترویج کلمات کلیدی : لایه نازک - سلول‌های خورشیدی تاریخ مقاله : 1398/05/18 تعداد بازدید : 509

در چند دهه اخیر فناوری نانو نقش تعیین‌کننده‌ای در بهبود عملکرد سلول‌های سیلیکونی نسل اول و همچنین معرفی سلول‌های خورشیدی نسل‌های جدید برپایه لایه‌های نازک و نانوساختارها داشته است. طیف وسیعی از سلول‌های خورشیدی نانوساختار تاکنون معرفی شده‌اند و گروه‌های تحقیقاتی بسیاری در سراسر دنیا در حال تحقیق و توسعه آنها هستند که از میان آنها می‌توان به سلول‌های خورشیدی پروسکایتی، رنگدانه‌ای، نقاط‌کوانتومی، پلیمری، مس‌‌ایندیوم‌گالیوم‌‌‌سلناید‌ (CIGS)، مس‌روی‌قلع‌گوگرد (SZTS)، کادمیم‌تلوراید و گالیم‌آرسناید اشاره کرد. از عمده کاربردهای اصلی فناوری نانو در سلول‌های خورشیدی سیلیکونی نیز پوشش‌های ‏لایه‌نازک آنتی‌استاتیک، خودتمیزشونده و آبگریز بر پایه پلی‌وینیلیدن‌فلورید یا ارگانوسیلان‌ها هستند که به بهبود بازدهی از طریق کاهش آلودگی‌های سطحی کمک کنند. با توجه به پیشرفت‌های حاصل شده در این حوزه به نظر می‌رسد که نمی‌توان آینده تولید انرژی الکتریکی ارزان‌قیمت از خورشید را بدون فناوری نانو تصور کرد.

 

1- انواع فناوری ساخت سلول‌های خورشیدی
امروزه بهره‌وری از انرژی دائمی، پاک و ارزان‌قیمت خورشید جهت راه‌اندازی تجهیزات در حوزه‌های صنعتی مختلف بطور جدی مورد توجه قرار گرفته است. انرژی نورانی خورشید می‌تواند مستقیما از طریق اثر فتوولتائیک یا بصورت غیرمستقیم توسط متمرکزکننده‌های‌توان خورشید به انرژی الکتریکی تبدیل شود. فناوری‌های متنوعی در تبدیل انرژی این سیستم‌ها نقش بازی می‌کنند که عمدتا بر پایه مواد نیمه‌رسانا هستند. آزمایشگاه ملی‌انرژی‌تجدیدپذیر (NREL[1]) به‌عنوان بزرگترین موسسه تحقیقاتی سلول‌های‌خورشیدی در جهان و مرجع اصلی تایید بازدهی سلول‌های خورشیدی مونتاژ شده توسط گروه‌های تحقیقاتی، تاکنون 25 نوع سلول‌خورشیدی را رصد کرده است که برحسب فناوری ساخت در 5 گروه چند‌اتصالی، گالیم‌آرسناید تک‌اتصالی، سیلیکون بلوری، فناوری‌های لایه‌نازک و فناور‌های نوظهور در حال تحقیق و توسعه هستند (جدول 1). صنعتی بودن این فناوری‌ها منوط به قابلیت تولید انبوه، عمر بالای ماژول و هزینه تمام شده است. بهترین بازدهی‌های بدست آمده مربوط به فناوری‌های چنداتصالی، گالیم‌آرسناید تک‌اتصالی و سیلیکون‌های بلوری هستند که در حال حاضر بخش مهمی از بازار را در اختیار دارند. اما بطور کلی این فناوری‌ها بسیار گران‌قیمت و پیچیده می‌باشند. به همین دلیل توجه بسیاری از پژوهشگران و صنعتگران به سمت فناوری‌های ارزان‌قیمت و ساده‌تر لایه‌های نازک و همچنین فناوری‌های نوظهوری چون ساختارهای پروسکایتی جلب شده است.

 

2- نقش فناوری نانو در سلول‌های خورشیدی
2-1- سلول‌های خورشیدی نانوساختار
2-1-1- سلول‌های خورشیدی پروسکایتی
در بین سلول‌های خورشیدی نوظهور، سلول‌های پروسکایتی نرخ رشد بازده بیشتری نسبت به بقیه انواع داشته‌اند که با در نظر گرفتن امیدهای زیادی که برای تولید آسان و کم‌هزینه این سلول‌ها وجود دارد، کاندیدای بسیار مناسبی برای تولید انرژی ارزان‌قیمت از نور خورشید می‌باشند. لذا تحقیقات وسیعی همچنان بر روی سلول‌های خورشیدی نوظهور در حال انجام است. پروسکایت نام خانواده بزرگی از مواد شیمیایی با ترکیب عمومی ABX3 می‌باشد. امروزه توجه بسیاری از محققین به تهیه ساختارهای پیچیده تر پروسکایتی مانند ترکیبات هالید آلی-معدنی جلب شده است که خواص فیزیکی، نوری و الکتریکی قابل توجهی دارند. این ترکیبات دارای ترکیب شیمیایی کلی APbX3 می باشند که در آنها X یون تک ظرفیتی مانند فلوئور، کلر، بروم و ید می‌باشد. مرسوم‌ترین این ترکیبات به لحاظ تمرکز گروه‌های تحقیقاتی پیشرو، ساختار پروسکایتی ‌هالیدی متیل آمونیوم سرب[2] با ترکیب شیمیایی CH3NH3PbX3 می‌باشد که به‌عنوان لایه جاذب نور با ضخامت 400 نانومتر در این دسته از سلول‌های خورشیدی بکار گرفته می‌شود. سایر اجزای سلول‌های خورشیدی پروسکایتی استاندارد مطابق شکل 1 به شرح زیر هستند [2-5]:

1- شیشه پوشش داده شده با لایه‌ای از اکسید قلع آلایش شده با فلوئور[3] (FTO) با ضخامت 700 نانومتر.

2- لایه سدکننده[4] از دی‌اکسید‌تیتانیم (TiO2) با فاز کریستالی آناتاز به ضخامت 50 نانومتر که هدف اصلی از لایه‌نشانی آن ایجاد فاصله بین شیشه رسانا و لایه جاذب است.

3- لایه‌ مزومتخلخل از ذرات 20 نانومتری دی‌اکسید‌تیتانیم به‌عنوان ماده انتقال‌دهنده الکترون که علاوه بر ایجاد سطح بالا برای افزایش انتقال الکترون از پروسکایت، همانند یک داربست برای پروسکایت عمل می‌کند. Al2O3، ZnO و ZrO2 نیز می‌توانند به‌عنوان لایه مزومتخلخل استفاده شوند.

4- لایه انتقال‌دهنده حفره (HTM) به ضخامت 200 نانومتر است که معمولا از ترکیب پلیمری Spiro-OMeTAD استفاده می‌گردد.

5- الکترود پشتی (کاتد) از جنس طلا یا نقره به ضخامت 60 نانومتر تشکیل شده است که می‌تواند با ترکیبات دیگر همچون کربن جایگزین شود.

 

2-1-2- سلول خورشیدی رنگدانه‌ای (DSSC)
قلب سلول خورشیدی رنگدانه‌ای یک لایه مزومتخلخل از نانوذرات دی‌اکسید تیتانیم با میانگین اندازه ذرات 20 نانومتر است که روی شیشه حاوی لایه‌نازکی از اکسید قلع آلایش شده با فلورین (FTO) لایه‌نشانی می‌شود. ذرات رنگدانه (معمولا N-719) روی سطح این نانوذرات قرار گرفته و وظیفه تزریق الکترون به سیستم را بر عهده دارند. در بین لایه مزومتخلخل و شیشه هادی، لایه‌نازکی به ضخامت 50 نانومتر از دی‌اکسید تیتانیم تهیه می‌شود که به‌عنوان لایه سدکننده مانع بازگشت الکترون به شیشه هادی می‌گردد. از شیشه FTO پوشش داده شده با پلاتین نیز به‌عنوان الکترود پشتی (کاتد) استفاده می‌شود. در بین دو الکترود آند و کاتد، الکترولیت‏ محتوی زوج اکسنده - کاهنده  I ̄ / I3̄ قرار می‌گیرد. شماتیک اجزای سازنده این دسته از سلول‌ها در شکل 2 نشان داده شده است. سلول خورشیدی رنگدانه‌ای به‌عنوان یک پیل الکتروشیمیایی از طریق مراحل زیر انرژی نورانی را به انرژی الکتریکی تبدیل می‌کند [7]:

1) نور خورشید از طریق شیشه FTO وارد سلول شده و به رنگدانه‌های روی سطح تیتانیا برخورد می‌کند.

2) فوتون‌های ورودی جذب شده و رنگدانه را تهییج می‌کنند. الکترون‌ها به پایین‌ترین اوربیتال مولکولی اشغال نشده[5] رنگ (LUMO) منتقل و در بالاترین اوربیتال مولکولی اشغال شده[6] رنگ (HOMO) حفره ایجاد می‌گردد.

3) الکترون‌ها به درون نوار هدایت TiO2 تزریق و بخاطر وجود شیب غلظت به سطح مشترک FTO/TiO2 نفوذ و توسط مدار خارجی به سمت کاتد حرکت می‌کنند.

4) از آنجا که مولکول‌های رنگدانه الکترون از دست داده‌اند، نیاز دارند که الکترون دیگری جذب کنند. پس الکترون مورد نیاز خود را از الکترولیت تاٌمین می‌کند. بدین ترتیب که کاتیون‏های رنگدانه تولید شده بوسیله‏ I ̄   احیا می‌شوند و یون‏های I3̄ تشکیل می‏گردد و در نهایت الکترون‌های ایجادی به HOMO رنگدانه می‌روند.

5) یون‏های  I3̄ تولید شده به سمت کاتد رفته و در آنجا دوباره به I ̄  تبدیل می‏شوند. برای تسریع این مرحله از پوشش پلاتین بر روی کاتد شمارنده استفاده می‌شود.

 

2-1-3- سلول خورشیدی نقاط‌کوانتومی
توانایی تزریق الکترون و قابلیت تنظیم شکاف انرژی، از جمله ویژگی‌هایی هستند که نقاط‌کوانتومی را برای استفاده در سلول‌های خورشیدی مناسب می‌سازند. اولین تلاش‌ها برای استفاده از نقاط کوانتومی در سلول‌های خورشیدی مربوط به جایگزینی آنها به جای رنگدانه در سلول‌های خورشیدی رنگدانه‌ای بود (Quantum dot sensitized solar cells). امروزه ساختارهای مختلفی از سلول خورشیدی پیشنهاد شده است که در آنها لایه‌های نازکی از انواع نقاط‌کوانتومی مانند سرب‌سولفاید، کادمیم‌سلناید و کادمیم‌تلوراید استفاده می‌شود که از میان آنها می‌توان به سلول‌های خورشیدی شاتکی (Schottky)، چنداتصاله (Multi-junction)، پیوند ناهمگن توده‌ای (Bulk heterojunction) و ناهمگن تهی‌شده (Depleted heterojunction) اشاره کرد [9].

 

2-1-4- سلول خورشیدی پلیمری
مهمترین قابلیت سلول‌های خورشیدی پلیمری آن است که می‌توانند روی زیرلایه‌های منطعف لایه‌نشانی شوند. اجزای اصلی این سلول‌ها مطابق شکل 3 عبارتند از [10]: 

1- زیرلایه منعطف که معمولا از جنس فویل پلی‌اتیلن‌تترا‌فتالات (PET) انتخاب می‌شود.

2- لایه‌نازک اکسید قلع‌ایندیم (ITO) به ضخامت 150 نانومتر که نقش آند را بازی می‌کند.

3- لایه‌نازک PEDOT:PSS به ضخامت 40 نانومتر که به‌عنوان لایه مسدودکننده الکترون به انتقال حفرات به آند کمک می‌کند.

4- از P3HT و PBCM به ترتیب به‌عنوان ماده پذیرنده حفره و الکترون و به صورت لایه‌نازک ترکیبی از P3HT:PBCM به ضخامت 200 نانومتر تهیه می‎شود.

5- الکترود پشتی از جنس آلومینیم با ضخامت 80 نانومتر لایه‌نشانی می‌شود.

 

2-1-5- سلول‌های خورشیدی مس‌‌ایندیوم‌گالیوم‌‌‌سلناید‌ (CIGS)
مس‌‌ایندیوم‌گالیوم‌‌‌سلناید (CuInxGa(1-x)Se2) یک نیمه‌هادی نوع p ست که به‌صورت لایه‌نازکی با ضخامت 2.5 میکرون به‌عنوان لایه جاذب نور در سلول‌های خورشیدی بکار می‌رود. سایر لایه‌های ایجاد شده در این دسته از سلول‌ها مطابق شکل 4 به شرح زیر هستند [12و13]:

1- مولیبدن به ضخامت 500 نانومتر که به روش اسپارترینگ روی شیشه لایه‌نشانی می‌شود.

2- نیمه‌هادی سولفید کادمیم از نوع n به ضخامت 40 نانومتر تهیه می‌شود که به‌عنوان لایه بافر نقش پنجره را در مقابل عبور نور بازی می‌کند.

3- لایه‌نازیکی از نیمه‌هادی ذاتی اکسید روی به ضخامت 50 نانومتر ایجاد می‌شود که از ایجاد آسیب به لایه‌های سولفید کادمیم و CIGS در حین فرآیند لایه نشانی الکترود پشتی ممانعت کند.

4- لایه اکسید روی آلایش شده با آلومینیم (AZO) به ضخامت 500 نانومتر که به عنوان الکترود پشتی لایه‌نشانی می‌شود.

 

2-1-6- سلول خورشیدی مس‌روی‌قلع‌گوگرد (SZTS)
مکانیزم عمل و شاکله کلی این سلول‌ها مشابه سلول‌های CIGS است با این تفاوت که لایه مس‌روی‌قلع‌گوگرد (SZTS) با فرمول شیمیایی Cu2ZnSnS4 جایگزین CIGS می‌گردد. علت تمایل محققان به استفاده از این ترکیب آن است که علاوه بر آنکه این ترکیب سمیت کمتری نسبت به CIGS دارد، عناصر موجود در آن به وفور در طبیعت یافت می‌شوند [14].

 

2-1-7- سلول‌های خورشیدی کادمیم‌تلوراید (CdTe)
لایه جاذب این دسته از سلول‌های خورشیدی لایه‌ای به ضخامت 10 میکرون از کادمیم‌تلوراید بصورت نیمه‌هادی غیرذاتی نوع p می‌باشد. مطابق شکل 5 سایر لایه‌های بکار رفته در سلول‌های خورشیدی کادمیم‌تلورید عبارتند از [15]:

1- شیشه رسانای هادی: معمولا از شیشه‌های حاوی لایه اکسید قلع‌ایندیم (ITO) به‌عنوان الکترود جلویی استفاده می‌شود.

2- نیمه هادی کادمیم‌سولفید (CdS) پلی‌کریستالی نوع n با ضخامت 100 نانومتر که به‌عنوان لایه پنجره عمل می‌کند.

3- آلومینیم یا طلا با ضخامت 50 نانومتر که به‌عنوان الکترود پشتی لایه‌نشانی می‌شود.

 

2-1-8- سلول‌خورشیدی گالیم‌آرسناید (GaAs)
این دسته از سلول‌های خورشیدی کارآمد که به علت بالا بودن هزینه ساختشان عمدتا در کاربردهای فضایی مورد استفاده قرار می‌گیرند، برپایه لایه‌های‌نازک تک‌کریستالی از نیمه‌هادی‌های گالیم‌آرسناید نوع n و p تهیه می‌شوند. تاکنون ساختارهای بسیاری برای این سلول‌ها پیشنهاد شده است که در شکل 6 اجزای اصلی سازنده آنها آورده شده است [17].

 

2-1-9- سلول خورشیدی سیلیکون آمورف
نقش فناوری نانو در سلول‌های خورشیدی سیلیکون آمورف (a-Si) ایجاد اتصال p-i-n از طریق لایه‌های نازک سیلیکون نوع n و p با ضخامت‌های کمتر از 20 نانومتر است. دیگر لایه‌های نازک بکار گرفته شده در این دسته از سلول‌های خورشیدی لایه سیلیکون ذاتی با ضخامت 300 نانومتر، لایه اکسید ایندیم‌قلع‌ (ITO) با ضخامت 150 نانومتر، لایه اکسید روی آلایش شده با آلومینیم (AZO) با ضخامت 200 نانومتر و الکترود نقره با ضخامت 300 نانومتر می‌باشند (شکل 7). ضخامت نهایی پنل‌های مونتاژ شده بر پایه این سلول‌ها می‌تواند تا 300 برابر نسبت به سلول‌های سیلیکونی بلوری کمتر باشد. برای تهیه لایه‌نازک سیلیکون آمورف معمولا از روش‌های تبخیری مانند رسوب‌دهی شیمیایی از فاز بخار به کمک پلاسما (PECVD) استفاده می‌شود.

 

2-2- پوشش‌های برپایه فناوری نانو
2-2-1- پوش‌های آنتی‌استاتیک، خودتمیزشونده و آبگریز
عمده کاربرد فناوری نانو در سلول‌های خورشیدی سیلیکونی تجاری موجود در بازار مربوط به پوشش‌های لایه‌نازک آنتی‌استاتیک، خودتمیزشونده و آبگریز است. در شرایط کاری به علل مختلف مانند گرد‌و‌غبار، باران، مدفوع‌پرندگان و ترکیبات‌شیمیایی موجود در هوا (دی‌اکسید‌گوگرد، مونوکسید‌کربن، سرب و اکسیدهای نیتروژن) آلودگی‌هایی روی سطح سلول‌های‌خورشیدی ایجاد می‌شود که مانع از رسیدن کامل نور خورشید به لایه‌جاذب آن می‌گردد. تنها 4 گرم خاک در هر یک متر‌مربع سلول‌خورشیدی می‌تواند بازدهی آن را در تبدیل انرژی نورانی به الکتریکی تا 40 درصد کاهش دهد. به‌علاوه در عمل، تمیز کردن سطح سلول‌ها با مشکلات متعددی توام است زیرا نیاز است تا بصورت هفتگی سطح ماژول‌ها با استفاده از مواد شوینده تمیز شود که هزینه‌بر و زمان‌بر است و نیاز به نیروی انسانی دارد. همچنین موادشوینده می‌توانند به‌راحتی باعث خوردگی فریم سلول شده و به آن آسیب بزنند. به همین علت بسیاری از شرکت‌های تولیدی به سوی استفاده از محلول‌های حاوی نانوذرات رفته‌اند که نه‌تنها ارزان هستند بلکه دوام خوبی نیز در شرایط عملی دارند. این محلول‌ها که به‌صورت لایه‌نازک با ضخامت زیر 100 نانومتر روی سطح قرار می‌گیرند، وظیفه حفاظت از سلول، افزایش عمر مفید و بهبود بازدهی آن را برعهده دارند. استفاده از این محلول‌ها سطح را از تمیز کردن بی‌نیاز نمی‌کند بلکه در عمل قابلیت زودتمیزشوندگی و آسان‌تمیزشوندگی به آن داده و بازه‌های زمانی نظافت را افزایش می‌دهند. از دیگر مزایای این محلول‌ها می‌توان به کاهش هزینه حفظ و نگهداری و افزایش مقاومت در برابر عوامل مهاجم خارجی مانند سایش و فرسایش اشاره کرد. پلی‌وینیلیدن‌فلورید (PVDF)، ارگانوسیلان‌ها و نیمه‌هادی‌هایی چون دی‌اکسید‌تیتانیم بیشترین کاربرد را در این زمینه دارند [19-21].

 

2-2-2- پوشش‌های ضد انعکاس منیزیم‌فلورید
یکی از چالش‌های مهم در مسیر دست‌یابی به سلول‌های خورشیدی با بازدهی بالا ضریب انعکاس زیاد مواد سازنده آنها می‌باشد که باعث اتلاف بخشی از توان ورودی می‌گردد. این مشکل در سلول‌های سیلیکونی و CIGS خود را به خوبی نشان می‌دهد. برای رفع این مشکل از لایه‌های نازک ضد انعکاس (ARC) استفاده می‌گردد. منیزیم‌فلورید (MgF2) یک ترکیب با ضریب انعکاس بسیار پایین است که در محدوده طول موج 120 تا 900 نانومتر کارایی خوبی از خود نشان می‌دهد. این ترکیب بصورت لایه‌نازکی با ضخامت 70 تا 120 نانومتر و با استفاده از روش‌های تبخیری روی سطح بالایی سلول‌های خورشیدی قرار می‌گیرد. از دیگر مواد مورد استفاده در این خصوص می‌توان به دی اکسید تیتانیم، سولفید روی و نیترید سیلیکون اشاره کرد [22].

 

3- مراجع


[1] National Renewable Energy Laboratory (NREL) chart, nrel.gov/ncpv/images/efficiency_chart.jpg, accessed: 03 Jan 2019.

[2] F. Bella, G. Griffini, J.P. Correa-Baena, G. Saracco, M. Grätzel, A. Hagfeldt, S. Turri, C. Gerbaldi, Improving efficiency and stability of perovskite solar cells with photocurable fluoropolymers, Science 354 (6309) (2016) 203–206.

[3] S. T. Williams, A. Rajagopal, C. C. Chueh, A. K. Y. Jen, Current Challenges and Prospective Research for Upscaling Hybrid Perovskite Photovoltaics, J. Phys. Chem. Lett. 7 (2016) 811–819.

[4] N.J. Jeon, J.H. Noh, Y.C. Kim, W.S. Yang, S. Ryu, S.Il Seok, Solvent engineering for high-performance inorganic–organic hybrid perovskite solar cells, Nature Materials. 13 (9) (2014) 897–90.

[5] N. Pellet, P. Gao, G. Gregori, Y. Y. Yang, M. K. Nazeeruddin, J. Maier, M. Grätzel, Mixed-Organic-Cation Perovskite Photovoltaics for Enhanced Solar-Light Harvesting, Angew. Chem. Int. Ed. 53 (2014) 3151 –3157.

[6] http://www.ritsumei.ac.jp/se/re/takakuralab/html_storage/intro_perov2015.html.

[7] B. O'Regan, M. Grätzel, A low-cost, high-efficiency solar cell based on dye-sensitized colloidal TiO2 films, Nature volume 353 (1991) 737–740.

[8] Dye-Sensitised Solar Cells: Animation, Thesolarspark, Published on May 20, 2011.

[9] A. JNozik, Quantum dot solar cells, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 14 (1–2) (2002) 115-120.

[10] O.A. Abdulrazzaq, Organic Solar Cells: A Review of Materials, Limitations, and Possibilities for Improvement, Particulate Science and Technology 31 (2013) 427–442.

[11] Md. ShofiqulIslam, Analytical modeling of organic solar cells including monomolecular recombination and carrier generation calculated by optical transfer matrix method, Organic Electronics 41 (2017) 143-156.

[12] P. Gečys et al., CIGS thin-film solar module processing: case of high-speed laser scribing, Scientific Reports volume 7 (2017): 40502.

[13] A. Parisi et al., Graded Carrier Concentration Absorber Profile for High Efficiency CIGS Solar Cells, June 2015International Journal of Photoenergy 1 (2015) 1-9.

[14] M. Ravindirana, C. Praveenkumar, Status review and the future prospects of CZTS based solar cell – A novel approach on the device structure and material modeling for CZTS based photovoltaic device, Renewable and Sustainable Energy Reviews 94 (2018) 317–329.

[15] A. Bosio, G. Rosa, N. Romeo, Past, present and future of the thin film CdTe/CdS solar cells, Solar Energy 175 (2018) 31-43.

[16] https://www.dur.ac.uk/cmp/research/groups/iem/themes/

[17] N. Jain et al., Enhanced Current Collection in 1.7 eV GaInAsP Solar Cells Grown on GaAs by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, IEEE Journal of Photovoltaics, 2017.

[18] C. Zhang et al., Enhancement of hydrogenated amorphous silicon solar cells with front-surface hexagonal plasmonic arrays from nanoscale lithography, Journal of Optics 19 (2017).

[19] H. Jiang et al., Experimental investigation of the impact of airborne dust deposition on the performance of solar photovoltaic (PV) modules. Atmospheric Environment 45 (2011) 4299.

[20] Y.Y. Quan et al., Self-cleaning of Surfaces: the Role of Surface Wettability and Dust Types, Scientific Reports 6 (2016) 38239.

[21] L. Peng et al., Polyvinylidene fluoride (PVDF)/hydrophobic nano-silica (H-SiO2) coated superhydrophobic porous materials for water/oil separation, RSC Advances 6 (2016) 10365.

[22] Y. Wan et al., Magnesium Fluoride Electron-Selective Contacts for Crystalline Silicon Solar Cells, ACS Appl. Mater. Interfaces 8 (23) (2016) 14671–14677.